ترانزستورات تأثير المجال
ترانزستورات تأثير المجال Field Effect Transistors (FET) تمكن في عام 1953م مهندسان من مختبرات بيل الأمريكية وهما أين روس (Ian Ross) وجورج ديسي (George Dacey) من تصنيع ترانزستور يعمل بآلية تختلف عن تلك…
دورة الكترونيات مجانية من الصفر للاحتراف باللغة العربية … هذا الموقع يقدم لك علم الالكترونيات والهندسة الالكترونية باسهل وابسط والوسائل العملية
from تعلم الكترونيات من الصفر http://bit.ly/1yzXyUv
via الموقع الاول في الهندسة الكهربية والالكترونية http://bit.ly/1r9YV9n
from Tumblr http://bit.ly/14usfhl
via ترانزستورات تأثير المجال
Labels: ترانزستورات تأثير المجال
0 Comments:
Post a Comment
Subscribe to Post Comments [Atom]
<< Home