ترانزستورات تأثير المجال

ترانزستورات تأثير المجال Field Effect Transistors (FET)

تمكن في عام 1953م مهندسان من مختبرات بيل الأمريكية وهما أين روس (Ian Ross) وجورج ديسي (George Dacey) من تصنيع ترانزستور يعمل بآلية تختلف عن تلك المستخدمة في الترانزستور ثنائي القطبية وهو ترانزستور تأثير المجال ذي الوصلة (Junction Field Effect Transistors (FET)). ويتكون هذا الترانزستور من شريحة من السيليكون مطعمة إما كنوع سالب (N) أو كنوع…

View On WordPress

from Tumblr http://bit.ly/1BHcSMg

via ترانزستورات تأثير المجال